产品描述
FT61EC21A−Dab
8−bit CPU (EEPROM)
37 条 RISC 指令: 2T or 4T
16 MHz / 2T (VDD ≥ 2.7)
多达 16 个引脚
Memory
PROGRAM: 2k x 14 bit (读/写保护)
DATA: 256 x 8 bit
RAM: 128 x 8 bit
8 层硬件堆栈
工作条件 (5V, 25°C)
VDD (VPOR ≤ 2.0V) VPOR − 5.5 V
(通过 POR 自动调整,0°C 以上 ≤1.7V)
工作温度等级 −
40 −
+
85 °C
低 Standby 0.8 μA
WDT 3.2 μA
正常模式 (16 MHz) 207 μA/mips
高可靠性
10 万次擦写次数 (typical)
> 20 年 / 85°C 存储 (typical)
ESD > 4 kV, > 5.5 kV
ADC (10−bit)
真正 10−bit 精度 (≤ 1 MHz ADC 时钟)
7 + 1 通道
VADC−REF
内部: 2.0, 3.0, VDD
外部: VREF 引脚
特殊事件触发和中断
比较器 (2 路)
16 级可编程参考电压
稳压器输出 (2 路)
可输出 32 档电压
PWM (Total 5)
增强型捕捉/比较/PWM
PWM 模式: 单 PWM,半桥,全桥
3 对 PWM (6 个 I/O): 互补输出+死区
单脉冲模式
相同周期,占空比
极性可选
PWM (3 路)
支持 SLEEP 下运行
独立:周期,占空比,极性
蜂鸣器模式
Timers
WDT (16−bit): 7−bit 后分频
Timer0 (8−bit): 8−bit 预分频
Timer1 (16−bit): 3-bit 预分频,带门控
Timer2 (8−bit): 4−bit 预分频和后分频
Timer3/4/5(12-bit): 7-bit 预分频和 8-bit 后
分频
支持在 SLEEP 下运行
1 or 2x {指令时钟, HIRC}, LP, T0CK,T1CK
I/O PORTS (多达 14 个 I/O)
上拉/下拉电阻
All I/O 源电流: 22mA (5V, 25°C)
All I/O 漏电流: 19mA (5V, 25°C)
8 个 I/O: 中断/唤醒
电源管理
SLEEP
LVR: 2.0, 2.2, 2.5, 2.8, 3.1, 3.6, 4.1 (V)
LVD: 2.0, 2.4, 2.8, 3.0, 3.6, 4.0 (V)
系统时钟 (SysClk)
HIRC 高速内部振荡器
16MHz < ±2% typical (2.5−5.5V, 25°C)
1, 2, 4, 8, 16, 32, 64 分频
LIRC 低功耗低速内部振荡器
32 kHz 或 256 kHz
EC 外部时钟 (I/O 输入)
LP / XT 晶振输入
双速时钟启动 (HIRC 或 LIRC)
故障保护时钟监控
集成开发环境 (IDE)
片上调试 (OCD),ISP
3 个硬件断点
软复位,暂停,单步,运行等
封装
SOT23-6 SOP8 DIP8 MSOP10
SOP14 DIP14 SOP16 DIP16
Fremont Micro Devices FT61EC2x
Rev1.01 - 2 - 2022-09-21
产品信息和选型表
型号 I/O 数 封装
FT61EC20−Uab 4 SOT23-6
FT61EC21A−ab
6
SOP8
FT61EC21A−Dab DIP8
FT61EC21B−ab SOP8
FT61EC21B−Dab DIP8
FT61EC2F−Mab 8 MSOP-10
FT61EC22A−ab
12
SOP14
FT61EC22A−Dab DIP14
FT61EC23−ab
14
SOP16
FT61EC23−Dab DIP1
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